Número do Produto do Fabricante:
TSM120N10PQ56 RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM120N10PQ56 RLG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventário:
12893652
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TSM120N10PQ56 RLG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3902 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PDFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Informação Adicional
Outros nomes
TSM120N10PQ56 RLGCT-DG
TSM120N10PQ56RLGDKR
TSM120N10PQ56 RLGDKR-DG
TSM120N10PQ56RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGDKR
TSM120N10PQ56RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TSM160N10LCR RLG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
10887
NÚMERO DA PEÇA
TSM160N10LCR RLG-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.64
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
BSC098N10NS5ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
16419
NÚMERO DA PEÇA
BSC098N10NS5ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.62
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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